今天三星宣布，已经成功完成了5nm EUV开发，并且相应的样品已经给客户送去，而由于加入了EUV（极紫外线光刻）技术，在更先进工艺制程加持下，可以让芯片拥有更好的功耗和性能。

据悉，与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，从而可以在更小的芯片面积当中提供更强的性能并且功耗更低。同时在6nm和7nm工艺方面也有了很大的进展。

除了从7nm到5nm的功率性能区域（PPA）改进之外，用户还可以使用三星的EUV技术，在金属层图案化中使用EUV光刻，并减少掩膜层，同时可以提供更好的保真度。三星还将自己在7nm时代的所有知识产权用到了5nm工艺的研发当中，因此可以减少客户从7nm过渡到5nm的成本，并可以预先验证设计生态系统，从而缩短5nm产品开发的流程和时间。

三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae表示：“功完成5nm开发，我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力，响应客户对先进工艺技术不断增长的需求，以区分其下一代产品，我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”

此前，台积电宣布的情况是，的第一代5nm是他们第二次引入EUV技术，多达14层；而第二代7nm的EUV，只有4层规模。

不出意外的话，明年新iPhone的A14芯片，大概率还是会交给台积电代工。当然，如果三星的新工艺能过关的话，也还是能拿到高通等厂商的订单的。

现在台积电三星在工艺制程上的竞争相当激烈，从10nm、7nm再到5nm，进步都相当神速。相比之下，另外一家晶圆大厂英特尔的速度就要慢得多了。现在，英特尔旗下的处理器基本还是14nm工艺，从2014年启用已经有4年多时间，10nm工艺则还要等到年底才会上线。尽管英特尔不给其他厂商做芯片代工，但在工艺上处于落后状态已经是不争的事实。